[18a-C42-1~13] 15.4 III-V-group nitride crystals

11:45 AM - 12:00 PM JST(2:45 AM - 3:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[18a-C42-11] Fabrication of GaInN-based RGB monolithic μLED arrays with red LED structures grown on GB-LED base layer by PSD.

〇Yuki Shimizu¹, Naoki Hasegwa¹, Keigo Imura¹, Yoshinobu Suehiro¹, Motoaki Iwaya¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Kohei Ueno², Hiroshi Fujioka² (1.Fac.Sci.&Tech, Meijo Univ, 2.Institute of Industrial Science, The University of Tokyo)

Keywords:

microLED,monolithic microLED arrays

GaInN系デバイスは一般的にMOVPE法を用いるが,パルススパッタ堆積(PSD) 法はより低温での成長が可能であり,高品質な赤色LED構造を含むGaInN系RGBモノリシックμLEDアレイの作製が期待される.そこで本研究ではMOVPE法によるGB-LED下地層上にPSD法による赤色LED構造を成長させたサンプルを用いて積層型RGBモノリシック型μLEDアレイを作製し同一基板上で3色の発光を確認したのでその結果を報告する．