講演情報
[18a-C42-11]PSD法を用いて赤色LED構造をGB-LED下地層上に成長した
GaInN系RGBモノリシックμLEDアレイの作製
〇清水 優輝1、長谷川 直希1、井村 慧悟1、末広 好伸1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、上山 智1、上野 耕平2、藤岡 洋2 (1.名城大学・理工、2.東京大学生産技術研究所)
キーワード：
マイクロLED、モノリシック型μLEDアレイ
GaInN系デバイスは一般的にMOVPE法を用いるが,パルススパッタ堆積(PSD) 法はより低温での成長が可能であり,高品質な赤色LED構造を含むGaInN系RGBモノリシックμLEDアレイの作製が期待される.そこで本研究ではMOVPE法によるGB-LED下地層上にPSD法による赤色LED構造を成長させたサンプルを用いて積層型RGBモノリシック型μLEDアレイを作製し同一基板上で3色の発光を確認したのでその結果を報告する．
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