[18a-C42-1~13] 15.4 III-V-group nitride crystals

12:00 PM - 12:15 PM JST(3:00 AM - 3:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[18a-C42-12] Fabrication of Stepless GaInN-based Monolithic μLED Arrays for Mounting

〇Naoki Hasegawa¹, Yuki Shimizu¹, Yoshinobu Suehiro¹, Motoaki Iwaya¹, Tetsuya Takeuchi¹ (1.Meijo University)

Keywords:

LED,GaInN,Monolithic microLED arrays

GaInN系モノリシック型LEDアレイは高集積化と高輝度化が可能であるため、AR/VRディスプレイへの応用が期待されている。本研究グループのアレイは各色の動作にメサ構造を形成して駆動している。しかし、このメサ構造は段差が生じ、アレイの実装の課題となる。本研究では、導電ビアを用いて、段差のない構造のデバイス検討を行った。