[18a-C42-1~13] 15.4 III-V-group nitride crystals

9:15 AM - 9:30 AM JST(12:15 AM - 12:30 AM UTC)

[18a-C42-2] Simple Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy Model Towards Improvement of Controllability of In_xGa_1-xN Alloy Composition

〇Masataka Imura¹, Takanobu Hiroto¹, Takaaki Mano¹, Yuri Itokazu², Masafumi Jo² (1.NIMS, 2.RIKEN)

Keywords:

MOVPE,InGaN,Model of crystal growth

MOVPE法を用いたIn_xGa_1-xN成長が積極的に行われているが、MOVPE法は化学反応や物質輸送などの現象を伴うため、これらの現象を考慮した成長モデルを提案するのは容易ではない。本研究では、「成長速度がIII族原料の成長寄与率と脱離速度に依存する」という単純なモデルを用いてIn_xGa_1-xN結晶成長を解析し、同モデルの適応性について調査した。その結果、広い成長条件において同モデルが適応可能であり、In_xGa_1-xNの混晶組成が予測可能であることを明らかにした。