[18a-C42-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

9:15 〜 9:30

[18a-C42-2] In_xGa_1-xN混晶組成の制御性向上のための単純なMOVPE成長モデルの構築

〇井村 将隆¹、廣戸 孝信¹、間野 高明¹、糸数 雄吏²、定 昌史² (1.NIMS、2.RIKEN)

キーワード：

MOVPE法、InGaN、結晶成長モデル

MOVPE法を用いたIn_xGa_1-xN成長が積極的に行われているが、MOVPE法は化学反応や物質輸送などの現象を伴うため、これらの現象を考慮した成長モデルを提案するのは容易ではない。本研究では、「成長速度がIII族原料の成長寄与率と脱離速度に依存する」という単純なモデルを用いてIn_xGa_1-xN結晶成長を解析し、同モデルの適応性について調査した。その結果、広い成長条件において同モデルが適応可能であり、In_xGa_1-xNの混晶組成が予測可能であることを明らかにした。