[18a-C42-1~13] 15.4 III-V-group nitride crystals

9:30 AM - 9:45 AM JST(12:30 AM - 12:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[18a-C42-3] Impact of He carrier gas on GaInN film growth by MOVPE

〇(M1)Yuki Arai^1,2, Saito Tasuke^1,2, Onuma Takeyosi², Yamaguti Tomohiro², Honda Tohru², Sumiya Masatomo¹ (1.NIMS, 2.Kogakuin Univ)

Keywords:

GaInN film,He Atmosphere

我々はGaInN薄膜成長時に気相雰囲気をN₂から Heに置き換えることによって低温でもNH₃の分解効率が高くなり、より高品質なGaInN薄膜を成長できるのではないかと考えた。本研究では、MOVPEによるGaInN薄膜成長において、N₂雰囲気で成長した場合と比較してInNモル分率や光学特性からHe雰囲気の効果について検討したので報告する。