[18a-C42-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[18a-C42-3] MOVPEによるGaInN混晶薄膜成長におけるHeキャリアガスの効果

〇(M1)新井 雄稀^1,2、齋藤 太助^1,2、尾沼 猛儀²、山口 智広²、本田 徹²、角谷 正友¹ (1.物材機構、2.工学院大)

キーワード：

GaInN薄膜、He雰囲気

我々はGaInN薄膜成長時に気相雰囲気をN₂から Heに置き換えることによって低温でもNH₃の分解効率が高くなり、より高品質なGaInN薄膜を成長できるのではないかと考えた。本研究では、MOVPEによるGaInN薄膜成長において、N₂雰囲気で成長した場合と比較してInNモル分率や光学特性からHe雰囲気の効果について検討したので報告する。