[18a-C42-1~13] 15.4 III-V-group nitride crystals

10:00 AM - 10:15 AM JST(1:00 AM - 1:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[18a-C42-5] Control of InN Mole Fraction in MOVPE Growth of AlGaInN

〇Yuto Yamada¹, Takeru Kumabe¹, Hirotaka Watanabe², Shugo Nitta², Yoshio Honda^2,3,4, Hiroshi Amano^2,3,4 (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS Nagoya Univ., 3.D Center Nagoya Univ., 4.IAR Nagoya Univ)

Keywords:

MOVPE,Quaternary alloy,AlGaInN

窒化物四元混晶AlGaInNは、GaNに格子整合させたまま、他の物性値を変化させる組成の実現が可能である。一方、結晶成長条件が複雑であり、高品質な結晶の実現・組成の制御は困難である。特に、In組成は、原料気相比のみならず成長温度等にも敏感であり、制御が困難である。そこで本発表では、In組成の制御に着目し、成長レート及び歪みエネルギーが組成に与える影響について検討する。