[18a-C42-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[18a-C42-5] 窒化物四元混晶AlGaInNのMOVPE成長におけるInNモル分率の制御

〇山田 悠斗¹、隈部 岳瑠¹、渡邉 浩崇²、新田 州吾²、本田 善央^2,3,4、天野 浩^2,3,4 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大Dセンター、4.名大IAR)

キーワード：

MOVPE、四元混晶、AlGaInN

窒化物四元混晶AlGaInNは、GaNに格子整合させたまま、他の物性値を変化させる組成の実現が可能である。一方、結晶成長条件が複雑であり、高品質な結晶の実現・組成の制御は困難である。特に、In組成は、原料気相比のみならず成長温度等にも敏感であり、制御が困難である。そこで本発表では、In組成の制御に着目し、成長レート及び歪みエネルギーが組成に与える影響について検討する。