[18a-C42-1~13] 15.4 III-V-group nitride crystals

10:15 AM - 10:30 AM JST(1:15 AM - 1:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[18a-C42-6] Growth pressure of GaInN quantum wells with high InN mole fractions on GaN substrates

〇(M2)Kotaro Nozu¹, Naoki Shibahara¹, Tetsuya Takeuchi¹, Motoaki Iwaya¹, Satoshi Kamiyama¹, Kentaro Nonaka², Yoshitaka Kuraoka², Takashi Yoshino² (1.Meijo Univ., 2.NGK INSULATORS)

Keywords:

Growth pressure,GaInN quantum wells

高InNモル分率を有するGaInN井戸層は、低温での成長が必要になる。そのため、障壁層で昇温過程を設けることで活性層の品質を向上させている。一方、我々は緑色VCSELに向けた活性層形成を目指しており、高い光閉じ込め係数のために数nmの薄い障壁層が好ましく、昇温過程を設けることは困難である。そこで、別の成長パラメータである成長圧力に着目した。今回、各層の成長圧力を変えたGaInN量子井戸を作製し、その特性を評価した。