[18a-C42-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

10:15 〜 10:30奨励賞エントリー

[18a-C42-6] GaN基板上高InNモル分率GaInN量子井戸の成長圧力

〇(M2)野津 浩太朗¹、柴原 直暉¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹、上山 智¹、野中 健太朗²、倉岡 義孝²、吉野 隆史² (1.名城大理工、2.日本ガイシ)

キーワード：

成長圧力、GaInN量子井戸活性層

高InNモル分率を有するGaInN井戸層は、低温での成長が必要になる。そのため、障壁層で昇温過程を設けることで活性層の品質を向上させている。一方、我々は緑色VCSELに向けた活性層形成を目指しており、高い光閉じ込め係数のために数nmの薄い障壁層が好ましく、昇温過程を設けることは困難である。そこで、別の成長パラメータである成長圧力に着目した。今回、各層の成長圧力を変えたGaInN量子井戸を作製し、その特性を評価した。