[18a-C42-1~13] 15.4 III-V-group nitride crystals

11:00 AM - 11:15 AM JST(2:00 AM - 2:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[18a-C42-8] Electrical properties of violet LEDs with Ga_0.87In_0.17N tunnel junctions

〇Hinata Uda¹, Kazuki Osada¹, Tetsuya Takeuchi¹, Kamiyama Satoshi¹, Iwaya Motoaki¹, Tanaka Takayuki¹ (1.Meijo Univ.)

Keywords:

tunnel junction,Violet LED

これまで我々は、GaInNトンネル接合を有するLEDにおいて、InNモル分率をできるだけ増やす（35%）ことで、4.8V（5k A/cm²）の駆動電圧を実現した。しかし、そのGaInN層からは貫通転位発生が観測された。一方で、GaNトンネル接合の場合は、貫通転位は発生しないが、駆動電圧が5.3V（5 kA/㎠）と高い。このことから、低InNモル分率GaInNトンネル接合の可能性が示唆され、実際、他研究機関からInNモル分率6%での低駆動電圧（3.7 V（100 A/cm²））が報告されている。本検討では、貫通転位が抑制され、かつ低光吸収で低抵抗なトンネル接合を目指し、低InNモル分率GaInNトンネル接合LEDを作製し、その電気的特性を評価した。