[18a-C42-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[18a-C42-8] Ga_0.87In_0.13Nトンネル接合を有する紫色LEDの電気的特性

〇宇田 陽¹、長田 和樹¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、岩谷 素顕¹、田中 崇之¹ (1.名城大理工)

キーワード：

トンネル接合、紫色LED

これまで我々は、GaInNトンネル接合を有するLEDにおいて、InNモル分率をできるだけ増やす（35%）ことで、4.8V（5k A/cm²）の駆動電圧を実現した。しかし、そのGaInN層からは貫通転位発生が観測された。一方で、GaNトンネル接合の場合は、貫通転位は発生しないが、駆動電圧が5.3V（5 kA/㎠）と高い。このことから、低InNモル分率GaInNトンネル接合の可能性が示唆され、実際、他研究機関からInNモル分率6%での低駆動電圧（3.7 V（100 A/cm²））が報告されている。本検討では、貫通転位が抑制され、かつ低光吸収で低抵抗なトンネル接合を目指し、低InNモル分率GaInNトンネル接合LEDを作製し、その電気的特性を評価した。