[18a-C42-1~13] 15.4 III-V-group nitride crystals

11:15 AM - 11:30 AM JST(2:15 AM - 2:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[18a-C42-9] Electrical properties of npn structures with bottom GaN tunnel junctions

〇Kazuki Osada¹, Hinata Uda¹, Kenta Kobayashi¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Motoaki Iwaya¹ (1.Meijo Univ.)

Keywords:

tunnel junction

緑色GaInN量子井戸を有するLEDやレーザーでは、分極電荷の存在により電子のオーバーフローが懸念される。一方、下部にトンネル接合を用い、基板側にp層、表面側にn層を有する逆構造LEDにより、電子のオーバーフロー抑制が期待できる。現状、下部トンネル接合は上部トンネ ル接合に比べ駆動電圧（100A/cm²時）が2V程度高く[1]、さらなる低抵抗化が必要である。本検討では、低抵抗上部トンネル接合のMg・Siプロファイル（SIMS）に近い下部トンネル接合の形成を目指し、高Mg添加GaNの成長温度を変化させ、そのプロファイルと電気的特性を評価した。