[18a-C42-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[18a-C42-9] 下部GaNトンネル接合を有するnpn構造の電気的特性

〇長田 和樹¹、宇田 陽¹、小林 憲汰¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、岩谷 素顕¹ (1.名城大　理工)

キーワード：

トンネル接合

緑色GaInN量子井戸を有するLEDやレーザーでは、分極電荷の存在により電子のオーバーフローが懸念される。一方、下部にトンネル接合を用い、基板側にp層、表面側にn層を有する逆構造LEDにより、電子のオーバーフロー抑制が期待できる。現状、下部トンネル接合は上部トンネ ル接合に比べ駆動電圧（100A/cm²時）が2V程度高く[1]、さらなる低抵抗化が必要である。本検討では、低抵抗上部トンネル接合のMg・Siプロファイル（SIMS）に近い下部トンネル接合の形成を目指し、高Mg添加GaNの成長温度を変化させ、そのプロファイルと電気的特性を評価した。