[18a-P06-1~19] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[18a-P06-19] Spin-dependent-charge-pumping spectroscopy on p-channel 4H SiC MOSFETs

〇(M2)Sosuke Horiuchi¹, Hiroki Fukunaga¹, Bunta Shimabukuro¹, Hiroshi Yano¹, Mitsuru Sometani², Hirohisa Hirai², Watanabe Heiji³, Takahide Umeda¹ (1.Univ. of Tsukuba, 2.AIST., 3.Osaka Univ.)

Keywords:

SiC MOSFET,Interface defect of MOS,Electron Spin Resonance

pチャネル4H-SiC MOSFET(Si面ドライ酸化)に対してスピン依存チャージポンピング(SDCP)分光を適用した。その結果、SDCPでは初めてとなる¹³C核スピン超微細構造を検出することができた。また、この欠陥は既知の炭素界面欠陥であるP_bCセンターとは異なることが分かった。さらに、SDCP分光は界面準位に対する分光探索範囲が拡張される結果が確認された。