[18a-P06-1~19] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[18a-P06-19] Pチャネル4H-SiC MOSFETsでのスピン依存チャージポンピング分光

〇(M2)堀内 颯介¹、福永 博生¹、島袋 聞多¹、矢野 裕司¹、染谷 満²、平井 悠久²、渡部 平司³、梅田 享英¹ (1.筑波大、2.産総研、3.阪大)

キーワード：

SiC MOSFET、MOS界面欠陥、電子スピン共鳴分光

pチャネル4H-SiC MOSFET(Si面ドライ酸化)に対してスピン依存チャージポンピング(SDCP)分光を適用した。その結果、SDCPでは初めてとなる¹³C核スピン超微細構造を検出することができた。また、この欠陥は既知の炭素界面欠陥であるP_bCセンターとは異なることが分かった。さらに、SDCP分光は界面準位に対する分光探索範囲が拡張される結果が確認された。