[18a-P06-1~19] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[18a-P06-2] Device characteristics of AlGaN/GaN CAVETs on Si substrates with strained layer superlattice as current blocking layer and δ-doped conductive buffer layer

〇Toshiharu Kubo¹, Ryutaro Miki¹, Takashi Egawa¹ (1.Nagoya Inst. of Tech.)

Keywords:

GaN,CAVET,delta dope

GaN-CAVETの電流狭窄層(CBL)として、我々はp-GaNの代わりとして高抵抗の歪超格子層（SLS）を用いて、Si基板上にAlGaN/GaNヘテロ構造を用いたCAVETを作製している。SLS層を用いることにより、p-GaNを用いた際に比べ、最大電流密度(I_DSmax)の増加及びドレインリーク電流の減少が得られている。本研究では、I_DSmaxの更なる改善のため、緩衝層であるSLS層内のAlN層にSiのδドープを行うことにより、電流障壁を低減させ、I_DSmaxを増大させることを試みたので、その結果を報告する。