[18a-P06-1~19] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[18a-P06-2] 電流狭窄層およびδドープ導電性緩衝層に歪超格子層を用いたSi基板上AlGaN/GaN CAVETのデバイス特性

〇久保 俊晴¹、三木 隆太郎¹、江川 孝志¹ (1.名工大)

キーワード：

GaN、CAVET、デルタドープ

GaN-CAVETの電流狭窄層(CBL)として、我々はp-GaNの代わりとして高抵抗の歪超格子層（SLS）を用いて、Si基板上にAlGaN/GaNヘテロ構造を用いたCAVETを作製している。SLS層を用いることにより、p-GaNを用いた際に比べ、最大電流密度(I_DSmax)の増加及びドレインリーク電流の減少が得られている。本研究では、I_DSmaxの更なる改善のため、緩衝層であるSLS層内のAlN層にSiのδドープを行うことにより、電流障壁を低減させ、I_DSmaxを増大させることを試みたので、その結果を報告する。