[18a-P06-1~19] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[18a-P06-5] Diffusion of silicon in single-crystalline gallium nitride

〇(M1)Keito Mimura¹, Ryusuke Nakamura¹, Takeyuki Suzuki², Yoshihiro Ueoka³, Masami Mesuda³ (1.Univ. of Shiga Pref., 2.SANKEN Osaka Univ., 3.Tosoh Corp.)

Keywords:

diffusion,gallium nitride,semiconductor

有機金属化学気相成長法によって作製された単結晶GaN膜に，高周波スパッタリング装置を用いてSiを堆積してSi/GaN試料を作製した．真空中で800 °C ~ 1000 °Cの温度範囲で拡散アニールした．二次イオン質量分析法により，Si, GaおよびNの深さ方向の強度分布を測定した．900 °CにおけるGaN中のSiの体拡散係数は二つの文献値の中間的な値となった．