講演情報
[18a-P06-5]単結晶窒化ガリウム中のシリコンの拡散
〇(M1)三村 啓人1、仲村 龍介1、鈴木 健之2、上岡 義弘3、召田 雅実3 (1.滋賀県大工、2.阪大産研、3.東ソー（株）)
キーワード：
拡散、窒化ガリウム、半導体
有機金属化学気相成長法によって作製された単結晶GaN膜に，高周波スパッタリング装置を用いてSiを堆積してSi/GaN試料を作製した．真空中で800 °C ~ 1000 °Cの温度範囲で拡散アニールした．二次イオン質量分析法により，Si, GaおよびNの深さ方向の強度分布を測定した．900 °CにおけるGaN中のSiの体拡散係数は二つの文献値の中間的な値となった．
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