[18a-P06-1~19] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[18a-P06-6] Reduction of Ni contact resistance for Mg-doped AlN layers by thermal heating

〇Fuga Miyazawa¹, Hironori Okumura¹, Masataka Imura² (1.Tsukuba Univ, 2.NIMS)

Keywords:

semiconductor,AlN

AlNは、6.1eVのバンドギャップを持つ直接遷移型半導体であるだけでなく、絶縁破壊強度が大きいことから、深紫外発光素子やパワー素子用材料として有力である。LEDやPNダイオードにはp層の利用が不可欠である。AlN層のp型化にはMgアクセプタが用いられるが、Mg添加AlN層に適したオーミック電極はまだ確立していない。本研究ではMOCVD法により成長したMg添加AlN層を用いて、Ni/Au電極に対する様々な熱処理温度と電気的特性への影響を調べた。