[18a-P06-1~19] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[18a-P06-6] Mg添加AlN層上のNi電極の高温熱処理による接触抵抗低減

〇宮沢 風我¹、奥村 宏典¹、井村 将隆² (1.筑波大数理、2.物材研)

キーワード：

半導体、窒化アルミニウム

AlNは、6.1eVのバンドギャップを持つ直接遷移型半導体であるだけでなく、絶縁破壊強度が大きいことから、深紫外発光素子やパワー素子用材料として有力である。LEDやPNダイオードにはp層の利用が不可欠である。AlN層のp型化にはMgアクセプタが用いられるが、Mg添加AlN層に適したオーミック電極はまだ確立していない。本研究ではMOCVD法により成長したMg添加AlN層を用いて、Ni/Au電極に対する様々な熱処理温度と電気的特性への影響を調べた。