[18a-P06-1~19] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[18a-P06-8] Assessment of effects of 850℃ annealing on surface and bulk defects of Mg-ion implanted GaN using MOS structure (3)

〇Genta Shindo¹, Yuki Hatakeyama¹, Masamichi Akazawa¹ (1.RCIQE, Hokkaido Univ.)

Keywords:

GaN

ドーズ量1.5×10¹² cm^-2でMgイオン注入したGaNに対して、AlONを表面保護膜として850℃アニールを施した。それぞれアニール時間を変化させた試料を用いて、MOS構造を作製し表面とバルクの欠陥の影響を評価した。850℃アニールを60分施した試料では30分アニールのものより、表面側でドナー電荷の補償が顕著にみられた。これはアクセプター型の欠陥に起因していると考えられる。また、界面準位密度の評価結果から、E_c -0.3 eV付近で凸な形状をとっており、先行報告からV_GaV_N欠陥である可能性が高い。