講演情報
[18a-P06-8]Mgイオン打ち込みしたGaNに対する850℃アニールの表面およびバルク欠陥への影響についてのMOS構造を用いた評価(3)
〇新藤 源大1、畠山 優希1、赤澤 正道1 (1.北大量集センター)
キーワード:
窒化ガリウム
ドーズ量1.5×1012 cm-2でMgイオン注入したGaNに対して、AlONを表面保護膜として850℃アニールを施した。それぞれアニール時間を変化させた試料を用いて、MOS構造を作製し表面とバルクの欠陥の影響を評価した。850℃アニールを60分施した試料では30分アニールのものより、表面側でドナー電荷の補償が顕著にみられた。これはアクセプター型の欠陥に起因していると考えられる。また、界面準位密度の評価結果から、Ec -0.3 eV付近で凸な形状をとっており、先行報告からVGaVN欠陥である可能性が高い。
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