[18a-P06-1~19] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[18a-P06-9] XPS Study on Effects of SiO₂ Cap Annealing on GaN

〇Masanobu Takahashi¹, Yining Jiao¹, Masamichi Akazawa¹ (1.RCIQE, Hokkaido Univ.)

Keywords:

GaN

窒化ガリウム(GaN)に対するアニールは、高効率パワーデバイス作製上必須の技術であり、本報告においては、p-およびn-GaNに対するSiO₂キャップアニールの影響について調べた結果を報告する。プロセスの各段階において、XPS Ga3d スペクトルにより表面フェルミ準位位置の評価を行った。