[18a-P06-1~19] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[18a-P06-9] GaNに対するSiO₂キャップアニールの効果についてのXPS評価

〇高橋 尚伸¹、焦 一寧¹、赤澤 正道¹ (1.北大量集センター)

キーワード：

窒化ガリウム

窒化ガリウム(GaN)に対するアニールは、高効率パワーデバイス作製上必須の技術であり、本報告においては、p-およびn-GaNに対するSiO₂キャップアニールの影響について調べた結果を報告する。プロセスの各段階において、XPS Ga3d スペクトルにより表面フェルミ準位位置の評価を行った。