[18a-P07-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

[18a-P07-1] 4-inch GaN on GaN epitaxial wafer grown by QF-HVPE

〇Shota Kaneki¹, Taichiro Konno¹, Hisashi Mori¹, Hajime Fujikura¹ (1.Sumitomo Chemical)

Keywords:

GaN,HVPE

縦型MOSFET等を利用した大電流・高耐圧パワーデバイスは耐圧確保のために厚いドリフト層が必須である。HVPE法は100μm/hrを超える高い成長レートを実現できるため工業的に優れた成長法である反面、膜厚の均一分布が得にくいという問題があった。GaN on GaNエピタキシャルウェハの面内分布に関する報告は2インチサイズに留まっているため、本発表では4インチエピウェハについて報告する。