[18a-P07-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-P07-1] QF-HVPEによる4インチGaN on GaNエピウェハ

〇金木 奨太¹、今野 泰一郎¹、森 久¹、藤倉 序章¹ (1.住友化学)

キーワード：

窒化ガリウム、ハイドライド気相成長法

縦型MOSFET等を利用した大電流・高耐圧パワーデバイスは耐圧確保のために厚いドリフト層が必須である。HVPE法は100μm/hrを超える高い成長レートを実現できるため工業的に優れた成長法である反面、膜厚の均一分布が得にくいという問題があった。GaN on GaNエピタキシャルウェハの面内分布に関する報告は2インチサイズに留まっているため、本発表では4インチエピウェハについて報告する。