[18a-P07-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

[18a-P07-10] Forming ohmic electrodes on the almost electron-depleted AlGaN/GaN heterostructures

〇Sho Shirasu¹, Ren Morita¹, Hiroshi Fujioka², Narihiko Maeda¹ (1.Tokyo Univ. of Technology, 2.Inst. of Industrial Science, Univ. of Tokyo)

Keywords:

AlGaN/GaN heterostructure

センサー応用等で電子空乏に近いAlGaN/GaNヘテロ構造を活用することで感度の向上が期待できる場合がある。そのような応用を念頭において、今回我々は電子空乏に近いAlGaN/GaNヘテロ構造へのオーミック電極形成について検討した。ソース・ドレイン電極領域の下をエッチングしてAlGaN層を少し残してオーミック電極形成した構造により、電子空乏に近いAlGaN/GaNヘテロ構造へのオーミック電極形成が可能であることがわかった。