[18a-P07-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-P07-10] 電子空乏に近いAlGaN/GaNヘテロ構造へのオーミック電極形成

〇白須 翔¹、森田 廉¹、藤岡 洋²、前田 就彦¹ (1.東京工科大工、2.東大生研)

キーワード：

AlGaN/GaNヘテロ構造

センサー応用等で電子空乏に近いAlGaN/GaNヘテロ構造を活用することで感度の向上が期待できる場合がある。そのような応用を念頭において、今回我々は電子空乏に近いAlGaN/GaNヘテロ構造へのオーミック電極形成について検討した。ソース・ドレイン電極領域の下をエッチングしてAlGaN層を少し残してオーミック電極形成した構造により、電子空乏に近いAlGaN/GaNヘテロ構造へのオーミック電極形成が可能であることがわかった。