Presentation Information
[18a-P07-11]Growth of GaN layer by plasma-enhanced LPE method (I)
〇Syuto Mine1, Haruki Nakagawa1, Keisuke Yoshida1, Hiroyuki Shinoda1, Nobuki Mutsukura1 (1.Tokyo Denki Univ.)
Keywords:
Semiconductor,Gallium Nitride,Liquid Phase Epitaxy
我々は，プラズマLPE法を用いてGaNの成長について検討している．プラズマLPE法では窒素プラズマ中のN原子を液体Gaへ供給することで液体Gaと基板の界面でGaNの液相成長を行うことができる．この方法では成長装置内を真空状態にするため，不純物が極めて少ない結晶成長が可能となる．今回はプラズマLPE法を用いたGaN層の成長に成功したので報告する．
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