[18a-P07-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

[18a-P07-11] Growth of GaN layer by plasma-enhanced LPE method (I)

〇Syuto Mine¹, Haruki Nakagawa¹, Keisuke Yoshida¹, Hiroyuki Shinoda¹, Nobuki Mutsukura¹ (1.Tokyo Denki Univ.)

Keywords:

Semiconductor,Gallium Nitride,Liquid Phase Epitaxy

我々は，プラズマLPE法を用いてGaNの成長について検討している．プラズマLPE法では窒素プラズマ中のN原子を液体Gaへ供給することで液体Gaと基板の界面でGaNの液相成長を行うことができる．この方法では成長装置内を真空状態にするため，不純物が極めて少ない結晶成長が可能となる．今回はプラズマLPE法を用いたGaN層の成長に成功したので報告する．