講演情報
[18a-P07-11]プラズマLPE法によるGaN層の成長（Ⅰ）
〇三根 秀斗1、中川 治紀1、吉田 圭佑1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大工)
キーワード：
半導体、窒化ガリウム、液相エピタキシー
我々は，プラズマLPE法を用いてGaNの成長について検討している．プラズマLPE法では窒素プラズマ中のN原子を液体Gaへ供給することで液体Gaと基板の界面でGaNの液相成長を行うことができる．この方法では成長装置内を真空状態にするため，不純物が極めて少ない結晶成長が可能となる．今回はプラズマLPE法を用いたGaN層の成長に成功したので報告する．
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