[18a-P07-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

[18a-P07-12] Growth of GaN by plasma-enhanced LPE method (II)

〇Haruki Nakagawa¹, Syuto Mine¹, Keisuke Yoshida¹, Hiroyuki Shinoda¹, Nobuki Mutsukura¹ (1.Tokyo Denki Univ.)

Keywords:

semiconductor,Liquid phase epitaxy,Gallium Nitride

我々は，プラズマLPE法を用いたGaN層の成長について研究を行っている．本方法は，基板上に液体Gaを堆積したのち，窒素プラズマ中のN原子を液体Gaへ供給することで， GaN層を成長することができる．今回は，プラズマLPE法を用いて，窒素プラズマの照射においてN原子量が比較的少ない条件にてGaN層の成長を行い，GaN成長初期におけるメカニズムについて検討を行ったので報告する．