Presentation Information
[18a-P07-12]Growth of GaN by plasma-enhanced LPE method (II)
〇Haruki Nakagawa1, Syuto Mine1, Keisuke Yoshida1, Hiroyuki Shinoda1, Nobuki Mutsukura1 (1.Tokyo Denki Univ.)
Keywords:
semiconductor,Liquid phase epitaxy,Gallium Nitride
我々は，プラズマLPE法を用いたGaN層の成長について研究を行っている．本方法は，基板上に液体Gaを堆積したのち，窒素プラズマ中のN原子を液体Gaへ供給することで， GaN層を成長することができる．今回は，プラズマLPE法を用いて，窒素プラズマの照射においてN原子量が比較的少ない条件にてGaN層の成長を行い，GaN成長初期におけるメカニズムについて検討を行ったので報告する．
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