講演情報
[18a-P07-12]プラズマLPE法によるGaN層の成長（Ⅱ）
〇中川 治紀1、三根 秀斗1、吉田 圭佑1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大工)
キーワード：
半導体、液相エピタキシー、窒化ガリウム
我々は，プラズマLPE法を用いたGaN層の成長について研究を行っている．本方法は，基板上に液体Gaを堆積したのち，窒素プラズマ中のN原子を液体Gaへ供給することで， GaN層を成長することができる．今回は，プラズマLPE法を用いて，窒素プラズマの照射においてN原子量が比較的少ない条件にてGaN層の成長を行い，GaN成長初期におけるメカニズムについて検討を行ったので報告する．
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