[18a-P07-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

[18a-P07-9] Change of electrical properties of electrochemical energization AlGaN/GaN hetero structure

〇Ren Morita¹, Hiroshi Fujioka², Narihiko Maeda¹ (1.Tokyo Univ. of Technology, 2.Inst. of Industrial Science, Univ. of Tokyo)

Keywords:

AlGaN/GaN hetero structure

我々はGaN系の低損失なエッチング技術として、n-GaNでの陽極酸化後の2段階ウェットエッチング法を提案してきた。本研究ではAlGaN/GaNヘテロ構造での電気化学的通電により2 Vと-1 Vの条件で通電をした結果、2 Vでは移動度が室温での無通電に比べ91 %減少、電子濃度は2.5 %増加し、-1 Vの方では移動度が57 %減少、電子濃度は2 %増加という異なる電気伝導特性の変化が観察された。