[18a-P07-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-P07-9] 電気化学的通電によるAlGaN/GaNヘテロ構造の電気伝導特性の変化

〇森田 廉¹、藤岡 洋²、前田 就彦¹ (1.東京工科大工、2.東大生研)

キーワード：

AlGaN/GaNヘテロ構造

我々はGaN系の低損失なエッチング技術として、n-GaNでの陽極酸化後の2段階ウェットエッチング法を提案してきた。本研究ではAlGaN/GaNヘテロ構造での電気化学的通電により2 Vと-1 Vの条件で通電をした結果、2 Vでは移動度が室温での無通電に比べ91 %減少、電子濃度は2.5 %増加し、-1 Vの方では移動度が57 %減少、電子濃度は2 %増加という異なる電気伝導特性の変化が観察された。