[18p-A22-1~21] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

1:45 PM - 2:00 PM JST(4:45 AM - 5:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[18p-A22-1] Electrical properties of Ge-doped α-Ga₂O₃ films with high electron mobilities grown by mist-CVD

〇Takeru Wakamatsu¹, Hirokazu Izumi², Yuki Isobe¹, Hitoshi Takane¹, Kentaro Kaneko^1,3, Katsuhisa Tanaka¹ (1.Kyoto Univ., 2.Hyogo Pref. Inst of Tech., 3.Ritsumeikan Univ.)

Keywords:

gallium oxide,germanium,mist-CVD

ミストCVD法を用いて作製したGeドープα-Ga₂O₃薄膜に、フォトリソグラフィおよび反応性イオンエッチングを用いてクローバー型の構造を形成し、van der Pauw法によるHall効果測定を行った。キャリア密度5.8×10¹⁷ cm⁻³試料において最大の電子移動度99 cm²V⁻¹s⁻¹を示した。さらに電子移動度の温度依存性からキャリアの散乱機構を考慮した解析を行った。