[18p-A22-1~21] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

13:45 〜 14:00奨励賞エントリー

[18p-A22-1] ミストCVD法で作製した高移動度Geドープα-Ga₂O₃薄膜の電気特性

〇若松 岳¹、泉 宏和²、磯部 優貴¹、高根 倫史¹、金子 健太郎^1,3、田中 勝久¹ (1.京大院工、2.兵庫県立工業技術センター、3.立命館大総研)

キーワード：

酸化ガリウム、ゲルマニウム、ミストCVD

ミストCVD法を用いて作製したGeドープα-Ga₂O₃薄膜に、フォトリソグラフィおよび反応性イオンエッチングを用いてクローバー型の構造を形成し、van der Pauw法によるHall効果測定を行った。キャリア密度5.8×10¹⁷ cm⁻³試料において最大の電子移動度99 cm²V⁻¹s⁻¹を示した。さらに電子移動度の温度依存性からキャリアの散乱機構を考慮した解析を行った。