[18p-A22-1~21] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

4:15 PM - 4:30 PM JST(7:15 AM - 7:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[18p-A22-10] Epitaxial Growth of MgO-NiO-ZnO Film Lattice-Matching with MgO Substrate

〇Shintarou Iida¹, Takumi Ikenoue¹, Masao Miyake¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:

oxide semiconductor,wide band gap,lattice-matching

MgO-NiO-ZnO は MgO 基板と格子整合が可能かつ、最大 7.8 eV のバンドギャップを持つと予測されており、深紫外 LED などに応用できると期待されている。我々は、MgO-NiO-ZnO の組成と格子定数の関係および、その関係をもとに適切な組成を持った NiO-ZnO を作製し MgO 基板の格子整合が実現したことをすでに報告した。本講演では NiO-ZnO に MgO を加え、未実現であった、MgO 基板と格子整合した MgO-NiO-ZnO 膜の作製について報告する。