[18p-A22-1~21] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[18p-A22-10] MgO 基板と格子整合したエピタキシャル MgO-NiO-ZnO 膜の作製

〇飯田 真太郎¹、池之上 卓己¹、三宅 正男¹ (1.京大院エネ科)

キーワード：

酸化物半導体、ワイドバンドギャップ、格子整合

MgO-NiO-ZnO は MgO 基板と格子整合が可能かつ、最大 7.8 eV のバンドギャップを持つと予測されており、深紫外 LED などに応用できると期待されている。我々は、MgO-NiO-ZnO の組成と格子定数の関係および、その関係をもとに適切な組成を持った NiO-ZnO を作製し MgO 基板の格子整合が実現したことをすでに報告した。本講演では NiO-ZnO に MgO を加え、未実現であった、MgO 基板と格子整合した MgO-NiO-ZnO 膜の作製について報告する。