[18p-A22-1~21] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

4:45 PM - 5:00 PM JST(7:45 AM - 8:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[18p-A22-12] Cross-Sectional SEM Observation of Killer Defects in (001) HVPE-Grown Thick Epi Film β-Ga₂O₃ Schottky Barrier Diodes

〇(M2)Yuto Otsubo¹, Kohei Sasaki², Chia-Hung Lin², Jun Arima³, Minoru Fujita³, Katsumi Kawasaki³, Toshiyuki Oishi¹, Makoto Kasu¹ (1.Saga Univ., 2.Novel Crystal Technology, Inc., 3.TDK Corporation)

Keywords:

leakage current,killer defect,Schottky barrier diode

前回，我々は高電圧化のためHVPEエピ膜を20 μmに厚膜化したSBDを作製し，エミッション顕微鏡観察を行ったところ，多結晶欠陥を伴うマイクロ溝がキラー欠陥であることを見出した．今回，その構造とリーク電流のメカニズムの調査の結果，厚膜SBDのキラー欠陥はマイクロ溝であり，その角で電界集中し，それによって，リーク電流が流れていることがわかった．