講演情報
[18p-A22-12](001)面方位HVPEエピ厚膜β型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードのキラー欠陥の断面SEM観察
〇(M2)大坪 優斗1、佐々木 公平2、林 家弘2、有馬 潤3、藤田 実3、川崎 克己3、大石 敏之1、嘉数 誠1 (1.佐賀大院理工、2.（株）ノベルクリスタルテクノロジー、3.TDK（株）)
キーワード：
リーク電流、キラー欠陥、ショットキーバリアダイオード
前回，我々は高電圧化のためHVPEエピ膜を20 μmに厚膜化したSBDを作製し，エミッション顕微鏡観察を行ったところ，多結晶欠陥を伴うマイクロ溝がキラー欠陥であることを見出した．今回，その構造とリーク電流のメカニズムの調査の結果，厚膜SBDのキラー欠陥はマイクロ溝であり，その角で電界集中し，それによって，リーク電流が流れていることがわかった．
コメント
コメントの閲覧・投稿にはログインが必要です。ログイン