[18p-A22-1~21] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

6:15 PM - 6:30 PM JST(9:15 AM - 9:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[18p-A22-17] Fabrication of amorphous Ga-O-S films toward realizing p-channel transistors

〇(M2)Takamitsu Funada¹, Kazuki Koreishi¹, Takuto Soma¹, Kohei Yoshimatsu¹, Akira Ohtomo¹ (1.Tokyo Tech., Dept. Chem. Sci. Eng.)

Keywords:

amorphous,gallium oxide,complex anion

n型非晶質酸化物半導体は透明エレクトロニクス材料として実用化されてきたが，それらに匹敵した性能を持つp型非晶質材料は存在せず，更なる応用を制限している．高性能なp型非晶質材料を実現するために，我々は非晶質Ga-O(a-GaO)に対してアクセプタとして窒素を，p型キャリア活性化のために硫黄を導入することを検討している．今回は，パルスレーザ堆積法によってa-GaO薄膜と非晶質Ga-O-S(a-GaOS)薄膜を作成し，その密度，光学特性および抵抗率を調べたので報告する．