[18p-A22-1~21] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

18:15 〜 18:30奨励賞エントリー

[18p-A22-17] p-チャネルトランジスタに向けた非晶質Ga-O-S薄膜の作製

〇(M2)船田 貴光¹、是石 和樹¹、相馬 拓人¹、吉松 公平¹、大友 明¹ (1.東工大物質理工)

キーワード：

非晶質、酸化ガリウム、複合アニオン

n型非晶質酸化物半導体は透明エレクトロニクス材料として実用化されてきたが，それらに匹敵した性能を持つp型非晶質材料は存在せず，更なる応用を制限している．高性能なp型非晶質材料を実現するために，我々は非晶質Ga-O(a-GaO)に対してアクセプタとして窒素を，p型キャリア活性化のために硫黄を導入することを検討している．今回は，パルスレーザ堆積法によってa-GaO薄膜と非晶質Ga-O-S(a-GaOS)薄膜を作成し，その密度，光学特性および抵抗率を調べたので報告する．