[18p-A22-1~21] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

6:30 PM - 6:45 PM JST(9:30 AM - 9:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[18p-A22-18] Fabrication of In₂O₃ thin film transistors using In(OH)₃ as PLD target

〇(M1C)Hikaru Sadahira¹, Prashant Ghediya², Hiromichi Ohta², Yusaku Magari² (1.IST-Hokkaido Univ., 2.RIES-Hokkaido Univ.)

Keywords:

Oxide semiconductor,In(OH)3,In2O3 thin film transistor

水素添加In₂O₃薄膜を活性層とすることで、電界効果移動度µ_FE ~140 cm² V⁻¹ s⁻¹の高移動度TFTが作製できる。水素を混入させる方法として、スパッタリング時の水素ガス導入や、PLD成膜時のベース圧力制御が報告されている。しかし、前者は安全性に問題があり、後者は汎用性が低い。本研究では、簡便に水素濃度を制御するため、In(OH)₃をPLDターゲットとして用いてIn₂O₃ TFTを作製した結果、従来の方法で作製したTFTと比較して遜色ないTFTの作製に成功した。