[18p-A22-1~21] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

18:30 〜 18:45奨励賞エントリー

[18p-A22-18] In(OH)₃をPLDターゲットとしたIn₂O₃薄膜トランジスタの作製

〇(M1C)定平 光¹、プラシャント ゲディア²、太田 裕道²、曲 勇作² (1.北大院情報、2.北大電子研)

キーワード：

酸化物半導体、水酸化インジウム、In2O3 薄膜トランジスタ

水素添加In₂O₃薄膜を活性層とすることで、電界効果移動度µ_FE ~140 cm² V⁻¹ s⁻¹の高移動度TFTが作製できる。水素を混入させる方法として、スパッタリング時の水素ガス導入や、PLD成膜時のベース圧力制御が報告されている。しかし、前者は安全性に問題があり、後者は汎用性が低い。本研究では、簡便に水素濃度を制御するため、In(OH)₃をPLDターゲットとして用いてIn₂O₃ TFTを作製した結果、従来の方法で作製したTFTと比較して遜色ないTFTの作製に成功した。