[18p-A23-1~17] Fundamentals and Latest Technology Trends of Atomic Layer Process (ALP)

5:15 PM - 5:30 PM JST(8:15 AM - 8:30 AM UTC)

[18p-A23-11] Evaluation of RF plasma in ALD chamber and ALD growth of β-Ga₂O₃ thin films

〇(B)Shodai Ata¹, Ryuto Ichikawa¹, Keigo Naito¹, Takeshi Yoshimura¹, Norifumi Fujimura¹ (1.Osaka Metropolitan Univ.)

Keywords:

ALD,Ga2O3

研究室では、ALD成長中に酸素や窒素のプラズマを照射させることで、H₂Oを用いたALD成長が困難とされているβ-Ga₂O₃の成長を可能にし、さらにアクセプタである窒素をドーピングすることを目的としたALD装置の開発を行っている。チャンバー全域に放電領域が広がらずに、ALD原料や酸化源であるH₂Oの導入が可能なALD装置を試作した。今回、成長空間における窒素および酸素プラズマの発光分析を行い、そのプラズマの基板への照射効果に関して検討を行った。