[18p-A23-1~17] 原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の基礎と最新技術動向

17:15 〜 17:30

[18p-A23-11] 成長空間におけるRFプラズマの評価とβ-Ga₂O₃薄膜のALD成長

〇(B)阿多 翔大¹、市川 龍斗¹、内藤 圭吾¹、吉村 武¹、藤村 紀文¹ (1.大阪公立大工)

キーワード：

ALD、酸化ガリウム

研究室では、ALD成長中に酸素や窒素のプラズマを照射させることで、H₂Oを用いたALD成長が困難とされているβ-Ga₂O₃の成長を可能にし、さらにアクセプタである窒素をドーピングすることを目的としたALD装置の開発を行っている。チャンバー全域に放電領域が広がらずに、ALD原料や酸化源であるH₂Oの導入が可能なALD装置を試作した。今回、成長空間における窒素および酸素プラズマの発光分析を行い、そのプラズマの基板への照射効果に関して検討を行った。