[18p-A23-1~17] Fundamentals and Latest Technology Trends of Atomic Layer Process (ALP)

6:30 PM - 6:45 PM JST(9:30 AM - 9:45 AM UTC)

[18p-A23-14] In-situ observation on the initial growth of Co-ALD by optical reflectance monitoring

〇Naoki Tamaoki¹, Shunsuke Kimura¹, Yoshida Koki¹, Yamaguchi Jun¹, Sato Noboru¹, Tsukune Atsuhiro¹, Momose Ken¹, Shimogaki Yukihiro¹ (1.The University of Tokyo)

Keywords:

atomic layer deposition,initial growth,in-situ observation

CCTBA原料を用いて SiO2上に Co 薄膜を形成するALDの初期過程について、反射光分光その場観察手法で評価した。反射率低下のタイミングが初期核発生に対応し、核が成長して連続膜となるところで極小値をとる。核構造を想定した波動光学計算で製膜量に換算した。表面を-OH 終端するAPM処理で初期核発生が促進される一方、疎水化表面ではインキュベーション時間が長く、GPCも小さくなることがわかった。